求人人員 1名
所  属

東北大学電気通信研究所 誘電ナノデバイス研究室

URL:http://www.d-nanodev.riec.tohoku.ac.jp

概  要 東北大学電気通信研究所誘電ナノデバイス研究室ではNEDO「SIP(戦略的イノベーション創造プログラム)/次世代パワーエレクトロニクス」プロジェク トの「超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiC基板材料及びパワーエレクトロニクス素子の高性能化に資する評価技術の開発」に従事する特任助教もしくは研究員を募集いたします.
応募資格 博士の学位取得者または取得見込みの者で当該研究の遂行に必要な能力を有する方
着任時期 2015年10月1日以降
任  期 2016年3月迄.年度更新で最長2019年3月まで更新可
提出書類
  1. 履歴書
  2. 研究業績概要(A4版2枚以内)と主要論文3編以内の別刷り(コピー可)
  3. 研究業績リスト(査読あり論文,査読なし論文,解説・著書,特許,新聞発表など)
  4. 研究への抱負(A4版1枚程度)
  5. 応募者について所見を伺える方2名の氏名と連絡先
募集期間 2015年5月12日~2015年7月31日.但し,随時選考し,適任者があり次第締め切ります.
書類送付・問い合せ先

〒980-8577
仙台市青葉区片平2-1-1
東北大学電気通信研究所
誘電ナノデバイス研究分野
長 康雄
電話:022-217-5529
FAX:022-217-5529
e-mail:画像

※封筒に「特任助教・研究員公募」と朱書きし,書留とすること.

応募書類は返却致しませんが,応募書類は厳重に管理し,選考以外の用途には使用しません

備  考

必要に応じて追加書類の提出を求める場合や面接を行うことがあります.

ただし,面接に要する旅費等は応募者の負担となります.

適任者がいない場合は採用を見送る場合があります