教授佐藤 茂雄

准教授櫻庭 政夫

助教秋間 学尚

秋間学尚 佐藤茂雄 櫻庭政夫

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研究活動

従来の高速性や大容量性に加え、低炭素社会実現へ向けた低消費電力性や災害時でも動作するロバスト性など多様な要求に対応できる次世代情報通信基盤技術の開発に向けて、3次元ナノプロセス技術を駆使したシリコン系半導体デバイスの高機能・高性能化と、それらを用いた大規模集積回路の実現が重要な課題である。デバイスの高機能・高性能化においては、新材料や立体構造を導入した新トランジスタ素子・新メモリ素子の開発、量子効果など新しい原理によって動作する新原理動作デバイスの開発、これらに必要な3次元プロセス技術の開発を進める。併せて、3次元集積化実装技術の開発、アナ・デジ混在ディペンダブル大規模集積回路の実現、非ノイマンアーキテクチャの実現に取り組む。

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ナノ集積デバイス研究分野|佐藤教授

不揮発性メモリと乗算・加算機能を有する積和演算デバイスの開発、自励機能などを有する高機能閾値デバイスの開発、及びこれらデバイスの高密度実装、並びに量子力学の原理を利用した知能デバイスの開発を当面の目標とする。将来的には、これらデバイス技術の、脳型計算機を始めとする非ノイマン型計算機への応用を図る。

研究テーマ

  • 新構造不揮発性メモリデバイスに関する研究
  • 新構造積和演算デバイスに関する研究
  • 脳型計算用デバイスの高密度実装技術に関する研究
  • 量子知能デバイスに関する研究

量子ヘテロ構造高集積化プロセス研究分野|櫻庭准教授

低損傷基板非加熱プラズマCVD表面反応などを駆使してナノメートルオーダ極薄領域における高度歪へテロ構造形成の原子精度制御を可能にするとともに、量子現象を含めた電荷の移動現象を学問的に体系化し、新規電子物性を探索する。同時に、IV族半導体量子へテロナノ構造において顕在化する量子現象を制御し、Si集積回路への大規模集積化が可能なIV族半導体の量子ヘテロ構造および高性能ナノ構造デバイスの実現を図る。

研究テーマ

  • 高度歪IV 族半導体エピタキシャル成長のための低損傷基板非加熱プラズマCVD プロセスに関する研究
  • IV 族半導体高度歪量子へテロ構造の高集積化プロセスに関する研究
  • IV 族半導体量子へテロナノデバイスの製作と高性能化に関する研究

脳型計算機のプロトタイプ実現に向けて
量子ヘテロ構造高集積化プロセスの構築に向けて