教授(佐藤 茂雄)

准教授吹留 博一

研究員金 觀洙

研究員佐々木 文憲

金 觀洙, 吹留博一, 佐々木 文憲

研究室紹介動画

研究活動

スケーリングによって高速化と高集積化を同時に実現するSiテクノロジーに基礎づけられてきたエレクトロニクスは、Siの物性的限界、極微細加工プロセスの技術的・コスト的バリアに直面している。また、来るべき超スマート社会の基盤インフラとなるInternet of Things (IoT)は、多種多様なセンサーや通信デバイスが必要となる。そのため、Si以外の材料を用いた高性能デバイスの研究開発は社会的な課題である。当研究室では、次世代デバイス材料(グラフェン、窒化物半導体など)を用いた新規なデバイスの学理に基づく、材料からデバイスまでの統合的な研究開発を行っている。

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東北大学電気情報系Webページ

固体電子物性工学研究分野|吹留准教授

グラフェンをはじめとするDirac電子系及びGaNなどの二次元電子ガス系材料を用いたデバイスの物性を、放射光中心とするナノ計測技術を駆使して詳細に調べ、グラフェンなどの新材料とそれを用いて作製したデバイスの電気特性の関係を明らかにしている。とくに基板面方位を用いたグラフェン構造・電子物性制御法の開発はグラフェンの工業化に道を拓くものであり、ナノ加工によるグラフェン物性の制御と併せ、産学連携研究に注力している。さらには、材料物性とデバイス特性の間のギャップを埋めるオペランド顕微X線分光を開拓し、新奇ナノデバイスのデバイス物理を開拓している。

研究テーマ

  • MEMS技術を援用したDirac電子系の新機能開拓と多機能集積デバイス開発
  • オペランド顕微分光法による新奇なナノデバイス物理の開拓

図1.グラフェン:炭素原子の二次元網の目構造
図2.超高真空プロセス・評価一貫装置とSi表面のSTM像(右上)