ナノ・スピン実験施設

半導体スピントロニクス(大野・池田准教授)研究室

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  陳 林 大嶋則和 山本直志
山ノ内路彦 大野英男 池田正二

教授大野  英男
准教授池田  正二
助教山ノ内  路彦
研究員陳  林
研究員山本  直志
研究員大嶋  則和

固体中の電子やスピンの状態を制御し工学的に応用するために、新しい材料の開発、量子構造の作製と性質の理解、及びそれらのスピントロニクスデバイス・高機能デバイス応用に関する研究を行っている。

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スピン機能工学研究部(大野教授)

省エネルギかつ高機能なスピントロニクス素子への応用を目的として、半導体、磁性半導体、金属磁性体におけるスピン現象、及びそれらを利用した新規スピン機能材料、新規スピントロニクス素子の創生に関する研究を行っている。

研究テーマ
  1. スピントロニクスに関する研究
  2. 金属磁性体とその機能素子応用に関する研究
  3. 磁性半導体およびその量子構造の物性と応用に関する研究
  4. 半導体量子構造における電子・光・スピン物性とその応用に関する研究

ナノスピンメモリ研究部 (池田准教授)

高機能・低消費電力が期待されるスピンメモリ・ロジック実現に向けた基盤技術として、面内・垂直磁気異方性トンネル磁気抵抗(TMR)素子の高出力化、スピン注入磁化反転評価、スピンメモリ・ロジック基本回路試作を進めている。

研究テーマ
  1. 高出力トンネル磁気抵抗素子の開発
  2. 金属系スピントロニクスデバイスの開発
  3. スピン注入磁化反転素子の開発
   
(左) GaAs/AlGaAs量子井戸ベース単一GaAsドットの模式図とそれから生成する偏光もつれ光子の忠実度f+のヒストグラム。順方向電圧の制御により高い忠実度(0.72±0.05)の偏光もつれ光子を生成。(Nature Comm. 2012)(右) 高性能40 nmφ垂直磁気異方性CoFeB/MgO磁気トンネル接合(MTJ)を世界に先駆け開発。素子の模式図とSEM像・断面TEM像。(Nature Mater. 2010)