研究室訪問

情報デバイス研究部門

誘電ナノデバイス(長)研究室

誘電ナノデバイス研究分野 教授 長 康雄
助教 平永 良臣
助教 山末 耕平

http://www.d-nanodev.riec.tohoku.ac.jp/

非線形誘電率顕微鏡法を用いた超高密度誘電体記録の研究

図3

図3 SNDMを用いた次世代超高密度強誘電体記録(記録密度4Tbit/inch2

 SNDMを、強誘電体記録の再生装置に用いれば、現在まで実現できなかった超高密度な記録方式が実現可能になります。 実際、SNDMナノドメインエンジニアリングシステムを用いた強誘電体データストレージにおいて、単一ドメインドットでは直径2.8ナノメータの記録ビットの生成に成功しており、また多数のドメインドットを高密度に記録する実情報の記録で、一平方インチ当たり4テラビットのデータストレージにも成功しております(図3)。大容量情報ストレージに関する要求が加速度的に増している今日、記録容量の革命的増大は喫緊の研究課題であると言えます。そこでこの問題を解決する一つの候補としてSNDM強誘電体プローブストレージ技術が考えられ、日夜この技術を完成すべく研究室一丸となって研究に取り組んでおります。

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