巻頭特集2/高集積原子制御プロセス国際共同研究拠点の形成

本事業推進の経緯

図1  本事業の組織となる国際連携コンソーシアム

図1 本事業の組織となる国際連携コンソーシアム:拠点機関は赤、協力機関は青で示します。(Innovations for High Performance microelectronics(IHP)/Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille(CINaM)/University of Vigo/College of Nanoscale Science and Engineering(CNSE), State University of New York at Albanyの4機関とは部局間協定をBerlin Institute of Technologyとは大学間協定を締結しました。

 この事業のベースには、これまでの通研共同プロジェクト研究による大型プロジェクトへの展開並びに国際共同研究体制構築のための国際会議の設立があります。共同プロジェクト研究の推進により、創造的情報通信技術研究開発制度による「超高速無線通信用SiベースIV族半導体極微細デバイスに関する研究」(1998-2002年度)や特定領域研究「人工Ⅳ族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイス」(1999-2003年度)(領域代表者、白木靖寛 現東京大学名誉教授)を立ち上げ、1999年9月に1st International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures(ICSI-1)を蔵王で、2003年1月に1st SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM-1)を名古屋大学で開催しました。これらの会議は毎年春に交互に、アジア、ヨーロッパ、アメリカで開催しています。また、The Electrochemical Society(ECS)の2つのシンポジウムを毎年秋に交互に開催しています。これらの活動と研究成果のまとめとして、新IV半導体ナノエレクトロニクス国際ワークショップを毎年通研国際シンポジウムとして開催しました。この間、部局間・大学間学術交流協定を結ぶとともに、デバイスのナノ微細化に伴い誘起する歪の制御を念頭に置いたナノ集積化の学問的体系化のために、国際連携コンソーシアム「Excellence Initiative for New Group IV Semiconductor Material & Processing(EI4GroupIV)」を2010年2月に結成しました(図1)。また、相手先機関から通研への客員教授(3名、1〜2か月)やポスドク(1名、3か月)を受け入れました。

 本事業では、これまで培ってきた上記の国際連携体制をベースにして、より強力に国際共同研究の推進・研究開発資産の集積・若手人材の育成を進めています。

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