(Shigeo Sato)Professor 吹留 博一准教授Hirokazu FukidomeAssociate Professorスケーリングによって高速化と高集積化を同時に実現するSiテクノロジーに基礎づけられてきたエレクトロニクスは、Siの物性的限界、極微細加工プロセスの技術的・コスト的バリアに直面している。また、来るべき超スマート社会の基盤インフラとなるInternet of Things (IoT)は、多種多様なセンサーや通信デバイスが必要となる。そのため、Si以外の材料を用いた高性能デバイスの研究開発は社会的な課題である。当研究室では、次世代デバイス材料（グラフェン、窒化物半導体など）を用いた新規なデバイスの学理に基づく、材料からデバイスまでの統合的な研究開発を行っている。 グラフェンをはじめとするDirac電子系及びGaNなどの二次元電子ガス系材料を用いたデバイスの物性を、放射光中心とするナノ計測技術を駆使して詳細に調べ、グラフェンなどの新材料とそれを用いて作製したデバイスの電気特性の関係を明らかにしている。とくに基板面方位を用いたグラフェン構造・電子物性制御法の開発はグラフェンの工業化に道を拓くものであり、ナノ加工によるグラフェン物性の制御と併せ、産学連携研究に注力している。さらには、材料物性とデバイス特性の間のギャップを埋めるオペランド顕微X線分光を開拓し、新奇ナノデバイスのデバイス物理を開拓している。さらに、現在、単分子サイズまで縮小化された究極のトランジスタの創出に取り組み、高出力THz帯トランジスタを実現する。図 1．研究の全体概要Fig1. Schematics of our researchesTetsuo EndohProfessor*Fuminori SasakiResearch Support StaffThe strategy of scaling-based Si technology in electronics is now facing several severe challenges, due to intrinsic physical properties of Si, difficulties in nano-fabrication of devices, and the saturating bit cost by scaling. Furthermore, internet of things (IoT), which is the infrastructure of smart society, needs various kinds of sensors and communication devices. For this reasons, high-performance devices based on new materials except Si is the important social issue. We are conducting the reasearches for the next-generation materials using such as graphene and nitride semiconductors, from material explora-tion to device devlopments. By use of nanoscale characterizations centered on synchrotron radiation analyses, we are clarifying the relation between elec-tronic properties and device performances of Dirac electrons and two-dimensional electron systems such as graphene and GaN. In particular, our finding of controlling the surface struc-tural and electronic properties of graphene in terms of the crystallographic orientation of the Si substrate paves a way to industrialization of graphene. In combination with nano-fab-rication nanoscopically controlling electronic band structures of graphene, the academia-industrial alliance study is being conducted to realize graphene-based devices. Furthermore, we develop operando x-ray spectromicroscopy, i.e. element- and site-specific investigation of electronic states of devices in operation and exploit device physics of novel nanodevic-es. We are creating the ultimately-shrunk transistor down to monomolecular level, and will realize.Research ActivitiesSolid State Physics for Electronics(Assoc. Prof. Fukidome)遠藤 哲郎教授（兼）佐々木文憲技術職員Staff（佐藤 茂雄）教授研究活動固体電子物性工学研究分野｜吹留准教授26電気通信研究所 RIEC 2025／2026情報通信基盤研究部門Information Communication Platforms Division計算システム基盤研究部門Computing System Platforms Division人間・生体情報システム研究部門Human and Bio Information Systems Divisionナノ・スピン実験施設Laboratory for Nanoelectronics and Spintronicsブレインウェア研究開発施設Laboratory for Brainware Systems固体電子工学研究室Solid State Electronics
元のページ ../index.html#28