新材料の背後にある物理の解明とそのデバイス応用

（佐藤）・遠藤・吹留研

本研究室では、従来のシリコン（Si）系半導体の性能を飛躍的に向上させるカーボン系ナノ構造や新材料を開発し、これらを用いたデバイスを作製する研究を行っています。革新的ナノ材料の研究：　Si基板と異種材料を組み合わせることで、シリコンに出来ない特殊な機能を実現できます。Siと異種材料との橋渡しとしてSi基板上の炭化珪素（SiC）の低温製膜を行い、このSiC薄膜上のグラフェン（上図）の形成に世界で初めて成功しています（下図）。デバイス研究：グラフェンは電子や正孔がシリコンより100倍速く走る夢の材料です。THz通信デバイスや光エレクトロニクスへの応用をめざし、デバイス開発を行っています。

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