グラフェンの理論限界を超えるテラヘルツ電磁波の増幅に成功 次世代６Ｇ＆７Ｇ超高速無線通信の実現に光明

STT-MRAMの車載応用を可能にする高速かつ高信頼な微細磁気トンネル接合(MTJ)素子の実証動作に成功 ～IoT・AI分野から車載分野までのSTT-MRAMの応用領域拡大に道を拓く～

SOT-MRAMチップの動作実証に初めて成功 ～読み書き同時処理機能の実装により、実用化に向け大きく前進～

視野安定の謎に迫る よく見えるほど動きがわからない視覚の機能

量子制御可能な巨視的振り子を開発 量子振り子が生じる重力の検証やダークマター探索などへ応用可能

磁性体３次元らせん状ネットワークの複雑な磁気構造の可視化に成功 ～スピントロニクス物理と新概念情報処理に新展開～

【世界初】400℃熱耐性と10年データ保持特性を有する無磁場高速(350ピコ秒)書き換えスピン軌道トルク(SOT)素子の開発と、CMOS技術との集積化によりSOT-MRAMセルの動作実証に成功 ～スピン軌道トルク素子を適用した高速不揮発性磁気メモリの実用化に向け大きく前進～

陸上と水中を自在に動き回るムカデから学ぶ柔軟な「身のこなし方」

ナノの世界で現れる磁気の渦の高速直進運動を初めて実現 ～スピントロニクスの原理を駆使した新たな情報処理・蓄積技術へ～

日韓共同研究でグラフェン準結晶状態の超高速変化を直接観測　次世代光デバイス制御に新たな自由度

室温動作スピントロニクス素子を用いて 量子アニーリングマシンの機能を実現

高輝度放射光(SPring-8)を用いて STT-MRAM用極薄MgOトンネル障壁膜の 化学結合状態の微視的変化の観測に初めて成功

東北大学発ベンチャー 「パワースピン株式会社」設立　第一弾として、本学が開発してきたスピントロニクス技術にて演算性能/消費電力比を従来比100倍以上に高めたIoTデバイスとAIシステムを中心に事業展開

車載スペックの150℃の耐環境下で、従来技術＠125℃に対してデータ保持時間を100万倍に延ばせる1Xnm世代向け高信頼MTJの開発に成功　～自動車や社会インフラ等の過酷な環境におけるアプリケーションへの展開を拓く～

ニューロンとシナプスの動作を再現する変幻自在なスピントロニクス素子を開発 ～脳を模した革新的情報処理への応用に期待～

5th CIES Technology Forum（3/24-26開催）

光の周波数（色）の量子もつれ発生に成功 〜光の周波数を用いた大容量量子通信技術の実現へ〜

微小な重力の測定を可能とする、小型低雑音重力センサーを開発 -重力の量子的な性質の実験的解明に期待-

世界に先駆け、200MHzで50μW以下の高性能・低消費電力スピントロニクス不揮発マイコンを実証

100Mb超密度で世界最高書き込み速度性能(14ナノ秒)を有するキャッシュアプリケーション向け128Mb密度STT-MRAMの開発に成功

低ダメージプロセスインテグレーション技術開発による磁気ランダムアクセスメモリ(STT－MRAM)の高性能化と高書き換え耐性の両立に成功

アドバンテスト社製メモリ・テスト・システムを用いて128Mb密度のSTT-MRAMの高速動作を実証

微細なハンコで神経回路網を操作 -シャーレ内での脳機能モデリングに向けて道筋-

｢電力と情報通信のネットワーク基盤の融合による超スマート社会｣の創成にむけて

メモリ・テスト・システムによる、 磁気ランダム・アクセス・メモリ(STT-MRAM)の スイッチング電流測定技術を確立 -アドバンテストとの共同研究、STT-MRAMの不良解析と実用化に大きく前進-

GaN無線通信用高速トランジスタの表面電子捕獲のナノスケールその場分析　～超スマート社会を支える次世代無線通信デバイスの出力を向上～

アドバンテスト社製メモリテスターを用いて、 磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)の 歩留まり率の向上と高性能化を実証

キーサイト・テクノロジー合同会社との共同開発の成果により、STT-MRAMの信頼性評価（データ保持時間＝10年）を1.7秒（従来比2万倍の高速化）で可能にする新測定システムの実証に成功

反応性エッチングプロセスの開発による磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）の高性能化と歩留まり率の向上の両立に世界で初めて成功

後ろも見る眼　無意識に周囲を捉えるすぐれた視覚能力