- 世界に先駆け、200MHzで50μW以下の高性能・低消費電力スピントロニクス不揮発マイコンを実証
- 2019.02.19
- 100Mb超密度で世界最高書き込み速度性能(14ナノ秒)を有するキャッシュアプリケーション向け128Mb密度STT-MRAMの開発に成功
- 2018.12.05
- 低ダメージプロセスインテグレーション技術開発による磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)の高性能化と高書き換え耐性の両立に成功
- 2018.12.05
- アドバンテスト社製メモリ・テスト・システムを用いて128Mb密度のSTT-MRAMの高速動作を実証
- 2018.12.05
- 微細なハンコで神経回路網を操作 -シャーレ内での脳機能モデリングに向けて道筋-
- 2018.11.15
- 「電力と情報通信のネットワーク基盤の融合による超スマート社会」の創成にむけて
- 2018.10.31
- メモリ・テスト・システムによる、 磁気ランダム・アクセス・メモリ(STT-MRAM)の スイッチング電流測定技術を確立 -アドバンテストとの共同研究、STT-MRAMの不良解析と実用化に大きく前進-
- 2018.10.31
- GaN無線通信用高速トランジスタの表面電子捕獲のナノスケールその場分析 ~超スマート社会を支える次世代無線通信デバイスの出力を向上~
- 2018.09.06
- アドバンテスト社製メモリテスターを用いて、 磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)の 歩留まり率の向上と高性能化を実証
- 2018.05.14
- キーサイト・テクノロジー合同会社との共同開発の成果により、STT-MRAMの信頼性評価(データ保持時間=10年)を1.7秒(従来比2万倍の高速化)で可能にする新測定システムの実証に成功
- 2018.05.14