固体電子工学研究室

研究室HP

[ 教授 ] (佐藤 茂雄)
[ 教授 ](兼) 遠藤 哲郎
[ 准教授 ] 吹留 博一
[ 助教 ] 馬 奕涛
[ 研究員 ]  佐々木 文憲

研究活動

スケーリングによって高速化と高集積化を同時に実現するSiテクノロジーに基礎づけられてきたエレクトロニクスは、Siの物性的限界、極微細加工プロセスの技術的・コスト的バリアに直面している。また、来るべき超スマート社会の基盤インフラとなるInternet of Things (IoT)は、多種多様なセンサーや通信デバイスが必要となる。そのため、Si以外の材料を用いた高性能デバイスの研究開発は社会的な課題である。当研究室では、次世代デバイス材料(グラフェン、窒化物半導体など)を用いた新規なデバイスの学理に基づく、材料からデバイスまでの統合的な研究開発を行っている。

スピントロニクス・CMOS融合脳型集積システム研究分野(遠藤教授)

研究テーマ

○ノイマン型スピントロニクス・CMOS融合脳型集積システム
○非ノイマン型スピントロニクス・CMOS融合脳型集積システム
○脳型集積システム・アーキテクチャ研究
○スピントロニクス・CMOS融合デバイスの特性解析と設計技術研究

固体電子物性工学研究分野|吹留准教授

グラフェンをはじめとするDirac電子系及びGaNなどの二次元電子ガス系材料を用いたデバイスの物性を、放射光中心とするナノ計測技術を駆使して詳細に調べ、グラフェンなどの新材料とそれを用いて作製したデバイスの電気特性の関係を明らかにしている。とくに基板面方位を用いたグラフェン構造・電子物性制御法の開発はグラフェンの工業化に道を拓くものであり、ナノ加工によるグラフェン物性の制御と併せ、産学連携研究に注力している。さらには、材料物性とデバイス特性の間のギャップを埋めるオペランド顕微X線分光を開拓し、新奇ナノデバイスのデバイス物理を開拓している。

研究テーマ

○二次元電子系デバイスの多機能集積化
○グラフェン・デバイスの産官学連携実用化研究
○オペランド顕微X線分光法によるナノデバイス物理の探究

図1.グラフェン:炭素原子の二次元網の目構造
図2.超高真空プロセス・評価一貫装置とSi表面のSTM像(右上)