第49回ナノ・スピン工学研究会－グラフェンの光電子特性とそのデバイス応用－

2010.11.04

第49回ナノ・スピン工学研究会 -グラフェンの光電子特性とそのデバイス応用-

研究会名：第49回ナノ・スピン工学研究会－グラフェンの光電子特性とそのデバイス応用－
開催日：2010年11月4日（木）13:30～15:00
題目1：“ Carrier transport in nanoelectronic and optoelectronic graphene-based devices ”

講師1：Dr. Vladimir VYURKOV, Visiting Prof. RIEC on leave from the Russian Academy of Science (RAS), Russia
題目2：“ Stimulated terahertz emission from optically pumped graphene ”
講師2：Dr. Stephane Albon Boubanga Tombet, JSPS Research Fellow on leave from the Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), France
開催場所：電気通信研究所ナノ・スピン総合研究棟4階A401号室

第49回ナノ・スピン工学研究会開催のご案内－グラフェンの光電子特性とそのデバイス応用－

東北大学　電気通信研究所
ブロードバンド工学研究部門
超ブロードバンド信号処理研究分野
教授　尾辻　泰一

下記の通り第49回ナノ・スピン工学研究会を開催致しますので，皆様多数ご参集下さいますようご案内申し上げます．

日時：2010年11月4日（木）13:30～15:00
場所：東北大学電気通信研究所ナノ・スピン総合研究棟4階A401号室（〒980-8577　仙台市青葉区片平2-1-1）
言語：英語
プログラム：13:00～14:15
“Carrier transport in nanoelectronic and optoelectronic graphene-based devices”

Dr.Vladimir VYURKOV, Visiting Prof. RIEC on leave from the Russian Academy of Science（RAS）, Russia

Band structures and their derivative of carrier transport properties of mono- and bi-layer graphene will be first described. Quantum ballistic transport and quantum hydrodynamic equations are introduced. Simulated results for the main features of graphene-channel field-effect transistors (GFETs) will be discussed including ambipolar behavior, ON/OFF ratio, and a high-field domain in a channel. Possible applications of graphene-based nanoelectronic and optoelectronic devices will also be discussed.

14:15～15:30

“Stimulated terahertz emission from optically pumped graphene” Dr.Stephane Albon Boubanga Tombet, JSPS Research Fellow on leave from the Centre National de la Recherche Scientifique（CNRS）, France

We experimentally observe amplified stimulated emission of terahertz electromagnetic radiation at room temperature from exfoliated graphene on SiO₂/Si substrate by optical-pump/terahertz- probe spectroscopy with a femtosecond-pulsed laser operating in the optical communication band. The results provide evidence of the occurrence of negative dynamic conductivity, which can potentially be applied to a new type of terahertz laser.