誘電ナノデバイス研究室(長・山末研究室)の長 康雄 教授が応用物理学会解説論文賞を受賞(平成30年7月6日)

誘電ナノデバイス研究室(長・山末研究室)の長 康雄 教授が応用物理学会解説論文賞を受賞(平成30年7月6日)

情報デバイス研究部門 誘電ナノデバイス研究室の長 康雄 教授が第40回応用物理学会解説論文賞を受賞することになりました。これは長 教授が著したInvited Review Paper ” High resolution characterizations of fine structure of semiconductor device and material using scanning nonlinear dielectric microscopy” (Jpn. J. Appl. Phys. 56 (2017) 100101)対して贈られたものです。

応用物理学会解説論文賞は,応用物理学会会員にとって啓発的,教育的であり応用物理学の進歩向上を促す著作物であって,原則として表彰の年の前々年および前年(暦年)の2ヵ年中に機関誌「応用物理」または「Japanese Journal of Applied Physics」に掲載された総合報告,解説,およびInvited Paper等の著作物から選定し,その著者を表彰するものであります。

授賞式は本年9月18日、名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)にて開催される第79回秋季学術講演会にて行われる予定です。

お問合わせ先

東北大学電気通信研究所
情報デバイス研究部門
誘電ナノデバイス研究室
(教授)長 康雄
TEL:022-217-5529