舛岡富士雄教授・中村広記助手が電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ エレクトロニクスレター論文賞を受賞しました
電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ エレクトロニクスレター論文賞
「SGT試作のためのSi柱側壁の犠牲酸化」
大学院生の日高剛君・中村広記助手・舛岡富士雄教授がエレクトロニクスレター論文賞を受賞しました. この賞は,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌(以下和文論文誌と略す)に発表されたレターのうち,特に優秀なものを 選び,その著者に授与されるものです.
受賞内容は,「SGT試作のためのSi柱側壁の犠牲酸化」の研究です.
受賞した賞に関するページ:http://www.toyoag.co.jp/ieice/S_top/index_event2.html#c
問い合わせ先
電気通信研究所
情報デバイス研究部門
固体電子工学研究分野
中村 広記 TEL:022-217-5486